三星+IBM STT-MRAM取代传统DRAM的节奏

三星电子(SamsungElectronics)与IBM携手研发出11纳米制程的次世代存储器自旋传输(SpinTransferTorque)磁性存储器(STT-MRAM)。两家公司也表示,预计在3年内展开MRAM量产,也引起了业界高度的注目。

韩媒指出,STT-MRAM是可望取代传统DRAM、SRAM的新世代存储器技术。与目前的NANDFlash相比,写入速度快上10万倍,而读取速度则是快上接近10倍。由于STT-MRAM只要透过少量电力就可以驱动的非挥发性存储器,不使用时也完全不需要电力。

MRAM的另外一项特征是寿命时间无限。NANDFlash反覆读写后,寿命就会大幅缩短。虽然最近靠着技术的发展,已经延长了NANDFlash的使用寿命,但仍未出现颠覆性的改善技术。

MRAM自2007年亮相,2011年三星电子买下拥有STT-MRAM技术的开发公司Grandis。而SK海力士(SKHynix)则是与东芝(Toshiba)合作,共同研发MRAM技术。

然而,这样比NANDFlash读写速度还快,又没有寿命问题的MRAM却有一个致命的缺点,那就是50纳米以下的微细制程相当困难,费用又极为庞大。过去这段期间,半导体大厂如英特尔(Intel)、美光(Micron)等虽然积极进行MRAM的研发,但到目前为止,都未能研发出比 NANDFlash更高整合度、更低生产价格的MRAM,以致迟迟不能商品化。

在此次三星与IBM共同研发成功研发11纳米MRAM之后,情况将有望大幅转变。用在物联网(IoT)装置感测器、移动装置等领域的机会将会无穷无尽。长期来看,更有望可以取代NANDFlash市场。

另一方面,三星与IBM除了在次世代存储器事业上有合作以外,也传出正在研拟于人工智能(AI)、半导体事业的合作方案。

  • 版权声明: 本文源自互联网,由整理发表,其原创性以及文中陈述文字和内容未经本站证实,对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性本站不作任何保证或承诺,请自行核实相关内容,如果侵犯,请及时通知我们,我们将在第一时间删除; 于10个月前发布,共 751字。

发表评论

您必须 登录 才能发表留言!