10nm手机“芯”战役,海思:看我麒麟970虐哭高通与联发科

手机芯片10纳米大战正式开打!手机芯片龙头高通(Qualcomm)抢在美国消费性电子展(CES)前发表10纳米Snapdragon 835手机芯片,采用三星10纳米制程生产。联发科交由台积电10纳米代工的Helio X30也已进入量产阶段,明年上半年将再推出Helio X35抢市,至于华为旗下海思半导体Kirin 970也将在明年采用台积电10纳米量产。

业界人士指出,明年第一季将是高通、联发科、海思等三大手机芯片厂的10纳米芯片大战开打,虽然规格上仍是高通领先同业,不过能否真正放量出货并抢下手机厂订单,关键反而在于台积电及三星等晶圆代工厂能否符合预期开出产能。

高通宣布子公司高通技术公司发表新一代Snapdragon 835手机芯片,虽然大部份细节规格都还没正式公布,但说明将支援最新的Quick Charge 4快充技术,进行5分钟充电后,将手机使用时间延长至5小时以上,且Quick Charge 4支援 Type-C连接埠和通用汇流排电力传输(USB-PD),可广泛的适用于各种连接线和转接器之上。

联发科早在10月初就说明了新一代10纳米Helio X30手机芯片部份细节。联发科Helio X30手机芯片是10核心架构,确认将采用2+4+4的三丛集运算架构,包括运算时脉高达2.8GHz二核心ARM Cortex-A73、搭配运算时脉达2.2GHz的四核心ARM Cortex-A53、以及运算时脉达2.0GHz的四核心 ARM Cortex-A35。与上一代十核心Helio X20手机芯片相较,运算效能可提升43%,功耗上则可节省58%。

联发科Helio X30已经在第四季将率先进入量产投片阶段,采用台积电10纳米制投片,策略上就是希望藉由台积电在晶圆代工市场的技术领先优势来打造Helio X30,以对抗采用三星10纳米生产的高通Snapdragon 835。同时,联发科新一代Helio X30手机芯片支援LTE Cat.10规格,并且是全球全模的手机芯片,预期明年第一季将可顺利出货,明年上半年还会再推出支援Cat.12的10纳米Helio X35抢市。

华为旗下海思半导体已经加快10纳米微缩速度,业界预期,明年上半年将会推出首款采用台积电10纳米生产的Kirin 970手机芯片,虽然架构上可能仍是8核心,但在数据机上会率先支援Cat.12的全球全模规格。

两大代工厂10nm技术进展

日前高通正式发布了其骁龙835芯片,采用三星的10nm工艺,这让台媒风传的高通将转单采用台积电的10nm工艺不攻自破,而台积电曾信心满满的要赶在三星前量产的10nm如今已落后于三星更未确定年底能否量产。

台积电无疑是全球代工老大,在半导体制造工艺方面与三星一直都互相竞争,不过在14/16nmFinFET工艺上前者被后者击败。三星去年初量产14nmFinFET工艺,而台积电去年三季度才量产16nmFinFET工艺。

自那时候起,台积电卯足劲希望在10nm甚至7nm工艺上要领先三星。在三星的10nm工艺正式量产前,台媒不断宣传台积电的10nm工艺进展良好,将有望赶在三星前率先量产。

不过中国大陆的手机芯片企业华为海思则理智的选择了台积电的16nmFinFET工艺,原因是华为海思曾帮助台积电开发16nm和16nmFinFET工艺,但是台积电的16nmFinFET工艺最终没能如期在去年初量产导致华为海思不得不推出麒麟930应市,这只是一款八核A53架构的处理器性能并不凸出,到台积电成功量产16nmFinFET后却又将该工艺产能首先提供给苹果生产A9处理器。

正是基于这样的原因,华为海思为了确保自己新一代的芯片能如期上市,而规划了两款高端芯片麒麟960、麒麟970,前者采用台积电成熟的16nmFinFET工艺,而后者则采用台积电的10nm工艺,如今采用麒麟960的mate9手机已如期上市,广受好评并夺得了市场机会。

另一个芯片企业联发科希望采用台积电的10nm工艺,通过采用领先的工艺而在高端芯片市场有所作为,但是如今台积电的10nm工艺量产时间正成为联发科头疼的事情,而且即使台积电的10nm工艺量产它也有可能将该工艺产能优先提供给苹果生产A10X芯片。但是联发科由于其当下所有芯片都不支持中国移动要求的LTE Cat7技术开始被中国手机企业抛弃,它急需推出采用10nm工艺的helio X30,该芯片支持LTE Cat10技术,青黄不接的联发科如今就如热锅上的蚂蚁。

台积电的10nm工艺量产时间已经落后于三星,台媒又开始宣传它的7nm工艺将在明年下半年量产,这种宣传策略似乎过于夸张了,正如此前的16nmFinFET工艺一样在正式量产前不断发布量产时间结果却是实际量产时间延迟了近半年时间,其10nm、7nm工艺但愿量产时间不要太迟才好。

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